快科技7月6日消息，据报道，电子与SK在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，即使到HBM5也可能暂不采用。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，无需使用凸点，有助于减小HBM厚度并改善散热。然而，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。
而HBM3E标准厚度为720微米，HBM4已放宽至775微米。厚度标准松动后，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。
散热问题也有了更简单的替代方案。三星开发了HPB热通道模块，在封装内部加入独立热柱，可从堆叠内部带走热量。
SK海力士则推出iHBM技术，将电绝缘、导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，称可较现有产品降低超过30%热阻。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。即使到HBM4E阶段，12层产品仍极有可能被用作主流产品。
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。
业内判断，短期内混合键合不会大规模部署，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。
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